2024年5月30日下午，量子院第二十六期“工程师技术沙龙”活动在量子院526报告厅如期举办。本期沙龙由6名工程师呈现了精彩的技术报告，分别在微纳加工、晶圆键合工艺、He3旋转插杆使用、锗平面量子点器件制备、超导芯片制备、InAs量子点单光子源材料制备等主题方向展开讨论和经验分享。本期沙龙活动吸引了院内外众多科研人员、博士后、工程师到场交流。

本期沙龙量子院6位工程师作的精彩报告分别是：

陈墨的技术报告《微纳加工中的异常》介绍了在制备＞10μm厚胶过程中，传统工艺流程通常会引起表面起泡等问题，工程师通过分析感光剂DNQ作用原理，认为感光胶反应不完全后二次反应产生的氮气是引起器件表面起泡的原因，通过实验论证了利用泛曝光和充分烘烤的方法可改善器件形貌。展示了工程师勤于思考，运用理论联系实践，稳扎稳打，不断优化实验方案和工艺流程的坚韧精神。

卞文栋的技术报告《晶圆键合介绍》 介绍了晶圆键合技术的原理、应用和主要设备，晶圆键合技术可以在两个或多个晶圆之间形成有机械强度的界面，并影响导热性、导电性、气密性等性能，介绍了永久键合、临时键合、解键合等工艺的特点以及不同材料键合的工艺方法和常用设备。体现了工程师丰富的知识储备和专业的加工能力，为量子点量子计算器件制备做出了重要贡献。

崔健的技术报告《He3旋转插杆介绍》介绍了量子院Teslatron PT设备He3插杆的工作原理、结构和使用，工程师利用压电陶瓷的形变推动压电位移台动子不断运动，并通过加热吸附泵35-40k等手段实现氦三的高效循环,最终实现He3 pot260mK、46h维持时间、旋转精度0.01°的系统参数，展现了工程师在设备调试方面的娴熟手段和突出能力，为综合测试平台对量子信息科技的支撑作用提供支持。

李晓博的技术报告《锗平面量子点器件制作的工艺研究》介绍了锗平面量子点器件制作的工艺研究，工程师根据国际前沿研究，探索接触电极、栅电极和器件制备工艺，初步实现特定锗平面四量子点器件的制作，为制作小尺寸接触电极、栅电极提供宝贵经验，展示了工程师勇于攻坚克难、不断挑战技术难题、勇于打破知识和技术壁垒的勇气和精神。

杨楚宏的技术报告《等离子体在超导芯片制备中的应用》介绍了等离子体在超导芯片制备中可用于溅射镀膜、离子束刻蚀、反应离子刻蚀、等离子清洗等方面，分享了实验过程中积累的宝贵经验和成果，展示了氢气等离子对提升铟-铟压焊黏附力、氧等离子体对刻蚀光刻胶膜的作用，展示了工程师用恒心、耐心不断优化工艺参数，在超导芯片制备过程中精益求精、追求卓越的工匠精神。

张世晨的技术报告 《InAs量子点单光子源材料的制备方法》介绍了InAs量子点在作为单光子源材料方面的研究思路和制备方法，介绍了通信波段量子点常见的材料研究体系、生长设备和研究手段，着重在S-K生长法的原理、技术难点上进行分析，其在形成满足波长匹配、高度对称、密度小等特点的理想单光子源方面有较大难度，但通过DE，可提高量子点的对称性。团队通过滴液前驱体沉积温度控制、结晶调控、生长中断等手段，对材料制备进行调控，取得了较好的实验结果。展示了工程师出色的器件加工制备能力和工艺设计水平。

技术沙龙设置评分环节，由科研人员和工程师代表组成评分小组。评分小组按照沙龙评分规则，最终评选出本期优秀技术报告是陈墨的《微纳加工中的异常》。

本期优秀技术报告逻辑清晰、内容全面、数据详实，介绍了应对微纳加工中常见异常的方法和手段，工程师优秀的加工能力、扎实的理论基础为超导量子计算芯片的发展做出贡献。报告有理有据，受到评分委员的一致好评。